ООО "Субмикронные технологии" приступило к созданию в Томской особой экономической зоне (ОЭЗ) опытных участков по производству интегральных схем и элементов СВЧ- микроэлектроники, сообщили агентству "Интерфакс-Сибирь" в территориальном управлении РосОЭЗ по Томской области.
Проект, который получил положительное заключение научно-технического совета Роснано, предполагает строительство на территории Южной площадки ОЭЗ комплекса зданий, предназначенных для разработки и выпуска монолитных GaAs (арсенид-галиевых) функциональных элементов, микрочипов и интегральных схем. В качестве партнеров по проектированию и строительству объектов могут выступить ряд британских компаний, отметили в теруправлении.
"Договор аренды земельного участка на Южной площадке ОЭЗ уже заключен. В настоящее время обсуждаются вопросы доступа компании к инженерным коммуникациям и объектам инженерной инфраструктуры", - уточнил собеседник агентства.
Источник - ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ, 19.12.2008г.